北方華創(chuàng)發(fā)布2023半年報(bào)業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)收入78.2-89.5億元，同比增長(zhǎng)43.7%-64.4%；歸母凈利潤(rùn)16.7-19.3億元，同比增長(zhǎng)121.3%-155.8%。

   23H1收入同比穩(wěn)健增長(zhǎng)，23Q2收入實(shí)現(xiàn)同環(huán)比增長(zhǎng)。公司23H1預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入78.2-89.5億元，同比增長(zhǎng)43.65%-64.41%；23Q2預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)收入39.5-50.8億元，同比增長(zhǎng)19.4%-53.5%，環(huán)比增長(zhǎng)2%-31.2%。23Q2收入同比增幅雖然較23Q1有所下降，但預(yù)計(jì)好于國(guó)內(nèi)其他設(shè)備公司平均水平。

   23Q2盈利能力同環(huán)比大幅提升，超市場(chǎng)預(yù)期。23H1歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)16.7-19.3億元，同比增長(zhǎng)121.3%-155.8%；扣非歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)14.9-17.2億元，同比增長(zhǎng)131%-166.6%。23Q2歸母凈利潤(rùn)10.8-13.4億元，同比增長(zhǎng)96.7%-144.1%，環(huán)比增長(zhǎng)82.2%-126.2%；扣非歸母凈利潤(rùn)9.56-11.86億元，同比增長(zhǎng)95.2%-142%，環(huán)比增長(zhǎng)79%-122.2%；單季扣非凈利率24%左右，同比增長(zhǎng)約9pcts，環(huán)比增長(zhǎng)約10pcts。23Q2扣非凈利潤(rùn)大超市場(chǎng)預(yù)期，主要原因系公司光伏、IC設(shè)備規(guī)模化效應(yīng)后，盈利能力大幅提升。公司22Q3和Q4加回股權(quán)激勵(lì)費(fèi)用等的扣非經(jīng)營(yíng)性凈利率分別超18%和23%，因此公司長(zhǎng)期凈利率水平有望維持在20%以上較高水平。

   日本、荷蘭均發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備出口管制法規(guī)，公司長(zhǎng)期受益于設(shè)備國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)。繼美國(guó)之后，日本和荷蘭相繼發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備出口管制法規(guī)，日本政府修正法案于5月23日公布，將于7月23日正式實(shí)施，對(duì)光刻、刻蝕、沉積、清洗、熱處理、測(cè)試共六大類設(shè)備進(jìn)行限制，對(duì)刻蝕和薄膜沉積設(shè)備限制較多，主要針對(duì)刻蝕深寬比、選擇比進(jìn)行限制，以及對(duì)金屬沉積、介質(zhì)薄膜的介電常數(shù)/反應(yīng)溫度/介質(zhì)材料等進(jìn)行限制。根據(jù)中國(guó)海關(guān)，2022年中國(guó)大陸CVD/PVD 進(jìn)口金額分別為37.2 和11億美元，日本占比分別為10.3%和7%；等離子刻蝕設(shè)備進(jìn)口金額37.5億美元，日本占比31%；熱處理進(jìn)口金額17.4億美元，日本占比59%；荷蘭政府公報(bào)于6月30日公布，預(yù)計(jì)于9月1日正式實(shí)施，對(duì)金屬ALD、外延設(shè)備等均進(jìn)行出口管制。考慮到北方華創(chuàng)是國(guó)內(nèi)最大的設(shè)備平臺(tái)化公司，在國(guó)內(nèi)PVD、刻蝕、熱處理等均處于絕對(duì)龍頭地位，將長(zhǎng)期受益于國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)。

   刻蝕、熱處理等多款核心設(shè)備實(shí)現(xiàn)工藝全覆蓋，薄膜等領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)持續(xù)突破。1）刻蝕：公司CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)已在多家客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)刻蝕領(lǐng)域全覆蓋；2023年6月，公司12英寸深硅刻蝕機(jī)PSE V300累計(jì)實(shí)現(xiàn)銷售100腔，其TSV刻蝕速率達(dá)到國(guó)際主流水平；12英寸去膠機(jī)成功發(fā)布，用于存儲(chǔ)、邏輯、圖像傳感器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)刻蝕后去膠、離子注入后去膠、去殘膠、表面處理等去膠工藝全覆蓋；12英寸CCP 晶邊刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)對(duì)PR（光刻膠），OX（氧化物），SiN（氮化硅），Carbon（碳），Metal（金屬）等多類膜層材料的晶邊刻蝕工藝全覆蓋；2）薄膜：突破PVD、CVD、ALD等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，工藝覆蓋銅互連、鋁、鎢、硬掩膜、介質(zhì)膜、TSV薄膜等；3）立式爐：氧化退火爐、LPCVD爐、批式ALD爐、低溫合金爐等均持續(xù)獲得重復(fù)訂單，累計(jì)出貨超500臺(tái)；4）外延：實(shí)現(xiàn)4英寸到12英寸全覆蓋，包括8英寸及以下的單片及多片大產(chǎn)能硅外延設(shè)備、12英寸硅外延設(shè)備、4/6/8英寸碳化硅外延設(shè)備、8英寸及以下單片及多片大產(chǎn)能硅基氮化鎵外延設(shè)備。