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光衰貢獻者：七彩人生我要舉報

    在對感光鼓表面充電時，隨著電荷在感光鼓表面的積累，電位也不斷升高，最后達到“飽和”電位，就是最高電位。表面電位會隨著時間的推移而下降，一般工作時的電位都低于這個電位，這個電位隨時間自然降低的過程，稱之為“暗衰”過程。感光鼓經掃描曝光時，暗區（指未受光照射部分的光導體表面）電位仍處在暗衰過程；亮區（指受光照射部分的光導體表面）光導層內載流子密度迅速增加，電導率急速上升，形成光導電壓，電荷迅速消失，光導體表面電位也迅速下降，稱之為“光衰”，最后趨緩。
    光致衰退效應
    光致衰退效應也稱S-W效應。a-Si∶H薄膜經較長時間的強光照射或電流通過，在其內部將產生缺陷而使薄膜的使用性能下降，稱為Steabler-Wronski效應。
    光致衰退效應起因
    對S-W效應的起因,至今仍有不少爭議,造成衰退的微觀機制也尚無定論，成為迄今國內外非晶硅材料研究的熱門課題。總的看法認為,S-W效應起因于光照導致在帶隙中產生了新的懸掛鍵缺陷態(深能級)，這種缺陷態會影響a-Si∶H薄膜材料的費米能級EF的位置，從而使電子的分布情況發生變化，進而一方面引起光學性能的變化，另一方面對電子的復合過程產生影響。這些缺陷態成為電子和空穴的額外復合中心，使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。
    在a-Si∶H薄膜材料中，能夠穩定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類似的Si-Si鍵，這些鍵的鍵能較大，不容易被打斷。由于a-Si∶H材料結構上的無序，使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發生變化而使Si-Si鍵處于應變狀態。高應變Si-Si鍵的化學勢與H相當，可以被外界能量打斷，形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應變Si-Si鍵沒有重構，則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應產生的機理并控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵，以期尋找穩定化處理方法和工藝，20多年來，國內外科學工作者進行了不懈的努力，提出了大量的物理模型，主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍沒有形成統一的觀點。
    LED光衰
    LED光衰是指LED經過一段時間的點亮后，其光強會比原來的光強要低，而低了的部分就是LED的光衰。一般LED封裝廠家做測試是在實驗室的條件下(25℃的常溫下)，以20MA的直流電連續點亮LED1000小時來對比其點亮前后的光強。
    光衰計算方法
    N小時的光衰=1-（N小時的光通量/0小時的光通量）
    光衰影響因素
    泡殼越大、光衰越小，即與鎢的蒸發量沉積擋住光輸出成正比。而充氣燈泡由于部分地阻止鎢絲蒸發所以光衰要小。
    如果是白熾燈用相同燈絲，做在不同大小泡殼里，相對來說同一時間點的光衰的確大泡殼的比小泡殼的小。另外，同樣是充氣泡大玻殼的燈泡內部空間大，氣體對流到玻殼有比較大散熱面積，相對小玻殼燈的溫度低很多，則燈絲的溫度也相對低，發光效率低，鎢絲的蒸發率也低，所以光衰要小。但同樣的燈絲在大玻殼的光效比小玻殼的燈絲低很多。所以在燈絲設計的時候是分開設計的，在現實生產中的可比意義不大。

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